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掺杂的ZnO的较低导电性不仅有利于降低极化电荷的屏蔽效应，价时尽快而且还有助于防止传感单元之间的串扰。代央打破基于Li掺杂的ZnO的面内应变传感器比商用箔片的灵敏度高100倍。
这些独特的优势可以大大扩展压电设备的应用文章链接：企新FlexibleLi-dopedZnOPiezotronicTransistorArrayforIn-planeStrainMapping.(NanoEnergy,DOI:10.1016/j.nanoen.2018.11.013) 本文由材料人编辑部金属材料学术组艾超供稿，企新材料牛编辑整理。管控（a）ZnO连续薄膜压电晶体管阵列的示意图;（b）传感器阵列的微结构;（c）RF溅射ZnO膜的表面和柱结构的顶视图和截面图;（d）显示ZnO生长的XRD光谱沿c轴。壁垒（a）有限元模型;（c）潜在分配;（d）电流密度分布。
（a）当ZnO/Au界面为肖特基接触时，后平各种应变下Li掺杂薄膜的I-V特性，后平插入是界面为欧姆接触时的I-V特性;（b）在单个Au/ZnO/=Au单元的应变下的带结构变化。结果表明，价时尽快Li掺杂薄膜压电装置在实际应用中具有良好的应用前景。
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